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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
    产品参考图片
    MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR 图片
    MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：-
  • 技术参数：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
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    MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：-
  • 产品封装：-
  • 现在可以订购MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
    MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
    MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
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    MT4VDDT864AG-26AB1
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    M29W128GL7AZS6F TR
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    MT46V128M4FN-6:D TR
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    PC28F064M29EWHX
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    MT35XU256ABA1G12-0AUT TR
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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