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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
产品参考图片
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
制造厂商:
美光半导体(Micron)
类别封装:
存储器,产品封装:132-VBGA
技术参数:
IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
(专注销售Micron美光电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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技术参数详情:
制造商产品型号:MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
制造商:美光半导体(Micron)
描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:有源
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:128Gb(16G x 8)
存储器接口:并联
时钟频率:267MHz
写周期时间-字,页:-
访问时间:-
电压-供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:132-VBGA
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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR
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