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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
    产品参考图片
    MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR 图片
    MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：-
  • 技术参数：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
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    MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：128Gb（16G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：267MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：-
  • 产品封装：-
  • 现在可以订购MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MTEDCAE004SAJ-1N2IT
    MTEDCAE004SAJ-1N2IT
    PC28F128J3D75A
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    MT28F320J3RG-11 MET
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    MT41J256M8DA-093:K TR
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    N25Q128A13TSF40F
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    MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR
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    MT46V32M16CV-5B:J TR
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    MT28FW02GBBA1LPC-0AAT
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    MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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