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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
    产品参考图片
    MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR 图片
    MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
  • 技术参数：IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
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    MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：256Gb（32G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：100MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
  • 现在可以订购MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • TE28F128J3D75B TR
    TE28F128J3D75B TR
    MT53E128M32D2DS-046 AUT:A
    MT53E128M32D2DS-046 AUT:A
    MT9KSF25672AKZ-1G6K1
    MT9KSF25672AKZ-1G6K1
    MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
    MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
    MT41K512M8V00HWC1-N001
    MT41K512M8V00HWC1-N001
    MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
    MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
    MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U
    MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U
    MT49H8M36BM-33 TR
    MT49H8M36BM-33 TR
    MT47H64M16HR-3:H TR
    MT47H64M16HR-3:H TR
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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