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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
    产品参考图片
    MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR 图片
    MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：152-VBGA
  • 技术参数：IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
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    MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：256Gb（32G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：167MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：152-VBGA
  • 现在可以订购MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • RC28F256J3C125SL7HE
    RC28F256J3C125SL7HE
    MT53D1024M32D4BD-046 WT:D
    MT53D1024M32D4BD-046 WT:D
    M29W640GT60NA6E
    M29W640GT60NA6E
    MT16VDDF6464HG-40BG2
    MT16VDDF6464HG-40BG2
    MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
    MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
    NAND02GR3B2DN6E
    NAND02GR3B2DN6E
    MT16HTF25664AY-667E1
    MT16HTF25664AY-667E1
    MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
    MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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