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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
    产品参考图片
    MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR 图片
    MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：100-TBGA
  • 技术参数：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
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    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：256Gb（32G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：100MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：100-TBGA
  • 现在可以订购MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
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    MT45W4MW16BFB-706 L WT TR
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    MT29F2G01AAAEDH4:E TR
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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