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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
    产品参考图片
    MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR 图片
    MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：132-VBGA
  • 技术参数：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
  • （专注销售Micron美光电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：不適用於新設計
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：384Gb（48G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：333MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：132-VBGA
  • 现在可以订购MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • N25Q032A11ESE40F TR
    N25Q032A11ESE40F TR
    MT29F512G08CMEABH7-12:A TR
    MT29F512G08CMEABH7-12:A TR
    MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
    MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
    MT40A512M16JY-083E AAT:B
    MT40A512M16JY-083E AAT:B
    MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
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    M29W800DT70ZE6F
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    M29W128GSH70ZA6E
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    MT41K512M8RH-125 M AIT:E
    MT41K512M8RH-125 M AIT:E
    MT48LC8M16A2P-6A:G TR
    MT48LC8M16A2P-6A:G TR
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
    美光(Micron)芯片全球现货供应链管理专家，美光半导体代理商独家渠道，提供最合理的总体采购成本