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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR
    产品参考图片
    MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR 图片
    MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：132-VBGA
  • 技术参数：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：FLASH - NAND（MLC）
  • 存储容量：512Gb（64G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：267MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：132-VBGA
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