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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
    产品参考图片
    MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A 图片
    MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：132-VBGA
  • 技术参数：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
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    MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A的技术资料下载
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：闪存 - NAND
  • 存储容量：512Gb（64G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：333MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：-
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：132-VBGA
  • 现在可以订购MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F512G08CMECBH7-12:C
    MT29F512G08CMECBH7-12:C
    MT9VDDT6472AY-335F1
    MT9VDDT6472AY-335F1
    M29W640GB70ZF3F TR
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    MT47H128M8B7-5E:A
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    MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR
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    MT46V16M16P-6T:F TR
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    MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR
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    MTFC16GKQDI-IT
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    M29W320DB70ZE6E
    M29W320DB70ZE6E
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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