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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
    产品参考图片
    MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR 图片
    MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：132-VBGA
  • 技术参数：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
  • （专注销售Micron美光电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR的技术资料下载
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：FLASH - NAND（TLC）
  • 存储容量：512Gb（64G x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：132-VBGA
  • 现在可以订购MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F8G08ADADAH4-IT:D
    MT29F8G08ADADAH4-IT:D
    MT41K512M8RG-107:N TR
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    NAND512R3A2SZA6E
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    MT5HTF6472KY-40EA2
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    MT35XU02GCBA3G12-0SIT TR
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    MT29F1G16ABBDAHC:D TR
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    MT28F800B5SG-8 TET TR
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    MT16HTF6464AY-40EB2
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    N2M400HDB321A3CF
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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