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MT47H128M8HQ-187E:E TR
制造厂商：美光半导体（Micron）
类别封装：存储器，产品封装：60-FBGA
技术参数：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：MT47H128M8HQ-187E:E TR制造商：美光半导体（Micron）描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA产品系列：存储器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：停产存储器类型：易失存储器格式：DRAM技术：SDRAM - DDR2存储容量：1Gb（128M x 8）存储器接口：并联时钟频率：533MHz写周期时间-字，页：15ns访问时间：350ps电压-供电：1.7V ~ 1.9V工作温度：0°C ~ 85°C（TC）安装类型：表面贴装型产品封装：60-FBGA现在可以订购MT47H128M8HQ-187E:E TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
