MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR - 美光芯片 - Micron美光半导体公司授权中国代理商

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MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

制造厂商：美光半导体（Micron）

类别封装：存储器，产品封装：200-WFBGA

技术参数：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA

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技术参数详情：

制造商产品型号：MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

制造商：美光半导体（Micron）

描述：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA

产品系列：存储器

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：停产

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - Mobile LPDDR4

存储容量：8Gb（256M x 32）

存储器接口：-

时钟频率：1600MHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：1.1V

工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）

安装类型：表面贴装型

产品封装：200-WFBGA

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