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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
    产品参考图片
    MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR 图片
    MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：-
  • 技术参数：IC DRAM 6GBIT 1600MHZ FBGA
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    MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC DRAM 6GBIT 1600MHZ FBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量：6Gb（384M x 16）
  • 存储器接口：-
  • 时钟频率：1600MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.1V
  • 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
  • 安装类型：-
  • 产品封装：-
  • 现在可以订购MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT41J64M16TW-093:J TR
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    MT48LC128M4A2TG-7E:C
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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