MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR - 美光芯片 - Micron美光半导体公司授权中国代理商

Micron美光中国代理商联接渠道

强大的美光半导体芯片现货交付能力

美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

产品参考图片

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

制造厂商：美光半导体（Micron）

类别封装：存储器，产品封装：-

技术参数：IC DRAM 12GBIT 1600MHZ FBGA

（专注销售Micron美光电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

点击下图下载技术文档

全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商

技术参数详情：

制造商产品型号：MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

制造商：美光半导体（Micron）

描述：IC DRAM 12GBIT 1600MHZ FBGA

产品系列：存储器

包装：卷带（TR）

系列：-

零件状态：有源

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - Mobile LPDDR4

存储容量：12Gb（384M x 32）

存储器接口：-

时钟频率：1600MHz

写周期时间-字，页：-

访问时间：-

电压-供电：1.1V

工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）

安装类型：-

产品封装：-

现在可以订购MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

MT28F004B5VG-8 T

MT48V8M32LFF5-10 TR

MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A

MT47H64M16BT-5E:A

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT28F004B5VG-8 B

MT29F16G08ABACAM72A3WC1

M29F002BB70K6E

美光(Micron)芯片全球现货供应链管理专家，美光半导体代理商独家渠道，提供最合理的总体采购成本