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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
    产品参考图片
    MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR 图片
    MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：200-WFBGA
  • 技术参数：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
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    MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR的技术资料下载
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量：16Gb（512M x 32）
  • 存储器接口：-
  • 时钟频率：1600MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.1V
  • 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：200-WFBGA
  • 现在可以订购MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
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    MT40A512M16JY-075E IT:B TR
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