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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
    产品参考图片
    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR 图片
    MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：-
  • 技术参数：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
  • （专注销售Micron美光电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量：32Gb（512M x 64）
  • 存储器接口：-
  • 时钟频率：2133MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.1V
  • 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
  • 安装类型：-
  • 产品封装：-
  • 现在可以订购MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • M29F800DB55N6E
    M29F800DB55N6E
    MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
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    MT48LC32M8A2P-6A:D
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    MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR
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    MT28F004B5VG-8 T TR
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    MT29F256G08CJABAWP-IT:B
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    MT25QL512ABB8ESF-0SIT TR
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    MTFC32GAPALNA-AIT TR
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    MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D
    MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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